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【新品發布】佰維推出DDR5 DRAM存儲模組,助力智能“端”應用創新迭代

時間:2021/10/20 閱讀:236

大數據時代,包括PC在內的所有智能終端都在朝著更強性能、更高算力的方向迭代升級。為了滿足PC等智能終端對性能的追求,佰維存儲近期正式發布DDR5 DRAM存儲模組,以大容量、高頻率、低功耗,助力客戶提前布局最新的DDR5處理器平臺產品開發,加速下一代PC等智能終端產品的商業化進程。

 

佰維存儲DDR5 UDIMM

 

DDR5時代即將開啟

 

根據VCZ的最新消息,支持DDR5的因特爾12代酷睿處理器將于11月4日上市發售。后續,支持DDR5標準的PC主機必將迅速涌現。這意味著DDR5的時代將正式開啟。相比DDR4內存,DDR5擁有更高的起步頻率,業內預估未來可達6400MHZ,同時電壓更低,數據預取更大。相關對比數據如下:

 

DDR3、DDR4、DDR5對比

佰維DDR5產品特點

 

佰維DDR5 UDIMM存儲模組采用鎂光(Micron)最新1znm 16Gb DDR5原廠顆粒,標準頻率提升至4800Mbps,直接沖破DDR4的性能天花板。同時,考慮到市場還處于交替初期,佰維存儲提供16GB、32GB兩種容量規格供客戶選擇。

 

 

佰維存儲DDR5規格參數

除了大幅提升性能之外,佰維DDR5 UDIMM實現了多種RAS(Reliability,Availability and Serviceability)功能,提高了產品的可靠性、穩定性與適合性。其中主要包括:

 

On-Die ECC糾錯機制

On-Die ECC糾錯機制將原本用于工控企業級應用的數據糾錯功能,帶到了民用平臺 ,不需要獨立的芯片,為數據傳輸過程提供端對端的完整保護。

WR寫入數據均衡

WR寫入數據均衡功能不僅可以保護通免受符號間干擾的影響,還可實現更高的數據寫入速率。

PMIC電源管理

PMIC電源管理高效控制系統電源負載,調節電源紋波、電壓和上下電時序,提升信號完整性與兼容性;同時,僅1.1V的工作電壓,可以達到降低發熱量和省電的效果。

數據的循環冗余校驗 (CRC)

佰維DDR5支持對寫入和讀取的數據進行CRC 校驗,實現高速、高正確率、低成本糾錯,從而避免通道出錯。

 

佰維DDR5賦能高速運算

 

佰維存儲踐行芯存萬象、致美唯真”的品牌理念,在高頻、高速、小尺寸、大容量等存儲芯片產品的研發方向上追求極致。在內存產品從DDR4向DDR5升級的過渡期,佰維存儲主動出擊,研發推出DDR5 UDIMM內存條,既提前為客戶進行下一代主機產品的研發測試提供配套,也為DDR5新功能的開發、全產品線覆蓋做好了鋪墊。

 

佰維存儲DDR5 UDIMM

 

佰維存儲DDR5 UDIMM預計于2022年進入量產階段,之后,還將推出DDR5的SODIMM版本,以及采用三星顆粒的DDR5系列產品。作為存儲芯片全案提供商,佰維存儲正努力促使DDR5進入具有高效能運算需求的游戲電腦、數據中心、AloT、人工智能等應用場景,推動新一輪性能浪潮的到來。